概要： 在维修电脑主板的时候或多或少的碰到些由于Wordlink_affiliate>内存条引起的一些电脑故障，那么这就要求我们维修人员要对Wordlink_affiliate>内存条要有一些基本的认识，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：▲ HY HYUNDAI ——- 现代▲ MT Micron ——- 美光▲ GM LG-Semicon▲ HYB SIEMENS —— 西门子▲ HM Hitachi —— 日立▲ MB Fujitsu —— 富士通▲ TC Toshiba —— 东芝▲ KM Samsung —— 三星▲ KS KINGMAX —— 胜创(2)内存芯片速度编号解释如下:★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.★ –75 标记的SDRAM 符合PC133规范,
常见SDRAM内存条生产厂标志及内存编号的识别,标签：电脑硬件知识,计算机硬件知识,http://www.laixuea.com在维修电脑主板的时候或多或少的碰到些由于Wordlink_affiliate>内存条引起的一些电脑故障，那么这就要求我们维修人员要对Wordlink_affiliate>内存条要有一些基本的认识，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容： 厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这 些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 (1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： ▲ HY HYUNDAI ——- 现代 ▲ MT Micron ——- 美光 ▲ GM LG-Semicon ▲ HYB SIEMENS —— 西门子 ▲ HM Hitachi —— 日立 ▲ MB Fujitsu —— 富士通 ▲ TC Toshiba —— 东芝 ▲ KM Samsung —— 三星 ▲ KS KINGMAX —— 胜创 (2)内存芯片速度编号解释如下: ★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. ★ –75 标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. ★ –8 标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. ★ –7k/-7J/10P/10S 标记的SDRAM 符合PC100 规范,速度为10ns. ★ –10K 标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. (3) 编 号 形 式 HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 其中5a 中的a 表示芯片类别,7—SDRAM; D—DDR SDRAM. b 表示电压,V—3.3V; U—2.5V; 空白—5V. CCC 表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M. dd 表示带宽。 f 表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. g 表示版本号，B—第三代。 h 表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。 ii 表示封装形式， TC—400mil TSOP—H. jj 表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; 10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) 10—100MHZ(非PC100)。 例：1） HY57V651620B TC-75 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ. 2) HY57V653220B TC-7 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ.
在选购SDRAM 内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：▲ HY HYUNDAI ——- 现代▲ MT Micron ——- 美光▲ GM LG-Semicon▲ HYB SIEMENS —— 西门子▲ HM Hitachi —— 日立▲ MB Fujitsu —— 富士通▲ TC Toshiba —— 东芝▲ KM Samsung —— 三星▲ KS KINGMAX —— 胜创(2)内存芯片速度编号解释如下:★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.★ –75 标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.★ –8 标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.★ –7k/-7J/10P/10S 标记的SDRAM 符合PC100 规范,速度为10ns.★ –10K 标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.(3) 编 号 形 式HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a 中的a 表示芯片类别,7—SDRAM; D—DDR SDRAM.b 表示电压,V—3.3V; U—2.5V; 空白—5V.CCC 表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.dd 表示带宽。f 表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.g 表示版本号，B—第三代。h 表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。ii 表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.jj 表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)10—100MHZ(非PC100)。例：1） HY57V651620B TC-75按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V,64M, 143MHZ.